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Thin Film SIP Resistor


Networks


SIP形金属薄膜ネットワーク抵抗器


相対精度、
相対温度係数を重視

特長

1.性能
素子間の相対的な抵抗温度係数(1ppm/℃)と経年変化特性(抵抗比10ppm/年)が非常に小さく安定しております。

2.小型及び実装性
プリント基板への取り付け面積が小さくスペース効率を高めます。

3.経済性
抵抗温度係数及び経年変化が相対的に非常に安定しております。従来高性能固定抵抗器を使用しているところに置き換えますとVA効果が大変期待されます。

標準仕様

品名 回路図 抵抗値許容差(%) 抵抗温度係数(ppm/℃)
絶対値 相対値 絶対値 相対値
2C~10C

250mW/
素子
±1(F)
 
±0.5(D)
 
±0.25(C)
 
±0.1(B)
 
±0.05(A)
0.5(D)
 
0.25(C)
 
0.1(B)
 
0.05(A)
±25(R)
 
±10(Q)
 
±5(P)
10(Q)
 
5(P)
 
3(N)
 
2(M)
 
1(L)
2B~20B

125mW/
素子

外形寸法と表示

特注品

抵抗値、回路構成など電気回路設計者のご要望に合わせ、製作いたします。

標準仕様

型名 回路構成 抵抗比
R1:R2
抵抗値範囲 抵抗値許容差(%) 抵抗温度係数(ppm/℃)
R1 R2 絶対値 相対値 絶対値 相対値
2BS
電力60mw/素子
8n2b 1:1 10Ω~50KΩ 10Ω~50KΩ ±1(F)
 
±0.5(D)
 
±0.25(C)
 
±0.1(B)
 
±0.05(A)
0.5(D)
 
0.25(C)
 
0.1(B)
 
0.05(A)
±25(R)
 
±10(Q)
 
±5(P)

*±3(N)

*±2(M)

*±1(L)


*相談可
10(Q)
 
5(P)
 
3(N)
 
2(M)
 
1(L)

0.5(X)
2E 2B
電力250mw/素子
2e2b 1:1
 

1:2
 

1:5
 

1:10
10Ω~500KΩ
 

100Ω~250KΩ
 

100Ω~100KΩ
 

10Ω~50KΩ
10Ω~500KΩ
 

100Ω~250KΩ
 

100Ω~100KΩ
 

10Ω~50KΩ
2E 2C
電力250mw/素子
2e2c

外形寸法と表示t

2BS型

2E2B型

2BS型

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